| 发明名称 | 制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备InMnP:Zn稀磁半导体的方法，采用真空镀膜后热扩散工艺，具体包括以下步骤：步骤1：将一衬底在煮沸的浓盐酸中进行化学腐蚀清洗，然后用去离子水反复冲洗5遍；步骤2：将衬底用氮气吹干，然后迅速置于真空镀膜机，并使之处于真空环境；步骤3：使用真空镀膜机在衬底上蒸镀Mn薄膜；步骤4：将附有Mn薄膜的衬底置入高温真空管式炉，在真空环境中进行高温扩散；步骤5：使用稀盐酸腐蚀清洗衬底表面残余的Mn原子和其他杂质原子，完成器件的制作。 | ||
| 申请公布号 | CN102108483A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN201110057072.6 | 申请日期 | 2011.03.10 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 杨冠东;朱峰;李京波 |
| 分类号 | C23C14/16(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01F1/40(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种制备InMnP:Zn稀磁半导体的方法，采用真空镀膜后热扩散工艺，具体包括以下步骤：步骤1：将一衬底在煮沸的浓盐酸中进行化学腐蚀清洗，然后用去离子水反复冲洗5遍；步骤2：将衬底用氮气吹干，然后迅速置于真空镀膜机，并使之处于真空环境；步骤3：使用真空镀膜机在衬底上蒸镀Mn薄膜；步骤4：将附有Mn薄膜的衬底置入高温真空管式炉，在真空环境中进行高温扩散；步骤5：使用稀盐酸腐蚀清洗衬底表面残余的Mn原子和其他杂质原子，完成器件的制作。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||