一种过热保护电路

摘要

本发明公开了一种过热保护电路，它含有：一个施密特触发器单元和一个热敏单元。热敏单元的输出为施密特触发器单元的输入，施密特触发器单元的输出通过控制NMOS管的工作状态，调整过热保护电路的迟滞温度，同时施密特触发器单元的输入作为热敏单元的输出信号，去控制电路。本发明电路结构新颖、原理简单，不需要常规热保护电路需要的齐纳管，只需通过带寄生NPN管的CMOS工艺即可实现。通过合理设计热敏电阻的值，能很好地调整迟滞温度。本发明电路的热保护温度为150℃，其迟滞温度达10℃。本发明电路可广泛应用于模拟集成电路中的电源管理电路，尤其是低压差线性电源领域。

主权项

一种过热保护电路，其特征在于，它含有：一个施密特触发器单元，包括：四个PMOS管M4、M5、M8、M10和四个NMOS管M6、M7、M9、M11，其中，M4的源极与电源VCC相接，M4的漏极分别与M5、M8的源极相接，M8的漏极接地，M4、M5、M6、M7的栅极连接在一起，M7的漏极分别与M6、M9的源极相接，M9的源极接电源VCC，M7的源极接地，M5、M6的漏极与M8、M9、M10、M11的栅极连接在一起，M4、M5、M8、M10的衬底接电源VCC，M6、M7、M9、M11的衬底接地；M4、M5、M6、M7的栅极连接在一起，形成施密特触发器单元的输入A1，M10的漏极与M11的漏极相接，形成施密特触发器单元的输出A2；一个热敏单元，包括：三个PMOS管M12、M13、M14和一个NMOS管M16，其中，M14的漏极与M12、M13、M14的栅极连接在一起，M14的漏极还与耗尽型NMOS管M16的栅极、漏极相接，形成热敏单元的偏置，M12、M13、M14的源极和衬底与电源VCC相接；和一个NPN晶体管Q2、一个NMOS管M15和两个热敏电阻R5、R6，其中，Q2的集电极接M12的漏极，构成热敏单元的输出A1，即施密特触发器单元的输入A1，Q2的基极分别与M13的漏极和R5的1端相接，M15的漏极分别与R5的2端和R6的1端相接，R6的2端接地，M15的源极、衬底接地，M15的栅极接施密特触发器单元的输出A2，即与M10、M11的漏极相接。