发明名称 高压集成电路的dV/dt耐量测试装置及其测试方法
摘要 本发明提供了高压集成电路的dV/dt耐量测试装置,包括触发电路和被测高压集成电路,被测高压集成电路包括VCC脚、GND脚、VB脚、VS脚和HOUT脚,HOUT脚电平置高,所述触发电路调节被测高压集成电路GND脚和VS脚间的dV/dt,若HOUT脚电平发生变化被置低,则被测高压集成电路GND脚和VS脚间的dV/dt超出范围,得出此时被测高压集成电路的VS脚对GND脚电压变化的变化量dV和变化所用的时间dt,从而计算出VS脚对GND脚的dV/dt值。本发明在不改变被测高压集成电路工作条件的情况下,测试出高压集成电路的dV/dt耐量范围,同时本发明防止因超过耐量时对测试设备造成的损坏。
申请公布号 CN102109573A 申请公布日期 2011.06.29
申请号 CN200910157172.9 申请日期 2009.12.23
申请人 杭州士兰微电子股份有限公司 发明人 冯宇翔;王文建;洪益文;邱学海
分类号 G01R31/303(2006.01)I 主分类号 G01R31/303(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 高压集成电路dV/dt耐量测试装置,其特征在于包括触发电路和被测高压集成电路:所述被测高压集成电路包括VCC脚、GND脚、VB脚、VS脚和HOUT脚,HOUT脚电平置高,所述触发电路调节被测高压集成电路GND脚和VS脚间的dV/dt。
地址 310012 浙江省杭州市黄姑山路4号(高新区)