发明名称 |
使用掺杂层屏蔽的混合异质结太阳能电池制造 |
摘要 |
本发明的实施方式包含利用新颖的处理程序来形成太阳能电池装置,进而形成高效率的太阳能电池。在一实施方式中,方法包括形成掺杂层至基板背面上、加热掺杂层和基板,促使掺杂层扩散进入基板背面、在加热掺杂层和基板后,纹理化基板正面、形成介电层至基板背面上、移除背面的部分介电层,以形成基板的多个露出区域、以及沉积金属层至基板背面上,其中金属层电性连接基板的多个露出区域中的至少一露出区域,且至少一露出区域具有掺杂层提供的掺杂原子。 |
申请公布号 |
CN102113132A |
申请公布日期 |
2011.06.29 |
申请号 |
CN200980130196.3 |
申请日期 |
2009.07.16 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
蒂莫西·W·韦德曼;罗希特·米什拉;迈克尔·P·斯图尔特;永华·克里斯·查;迦毕罗·P·威杰库恩;洪彬·方 |
分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;钟强 |
主权项 |
一种形成太阳能电池装置的方法,包含下列步骤:在一结晶硅基板的一背面上形成一第一掺杂层;以及纹理化该结晶硅基板的一正面,其中位于该背面上的该第一掺杂层用于在纹理化该正面的工艺期间避免实质蚀刻该背面。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |