发明名称 |
Nafion膜的Cs-HPW表面改性方法和Cs-HPW表面改性的Nafion膜 |
摘要 |
本发明人提出了一种基于Nafion膜的表面改性方法和Cs-HPW表面改性的Nafion膜。通过利用磷钨酸与碳酸铯(Cs2CO3)的相互作用,在已经取代了Cs2CO3的Nafion中引入Cs2CO3与HPW的反应沉淀颗粒,而达到减小甲醇扩散通道外部口径的目的,进而减小甲醇扩散率。同时通过铯盐与HPW的反应,使HPW得到固定,从而使之生成不溶于水的沉淀物,不易随水流失。本发明的Nafion膜的Cs-HPW表面改性方法包括:Cs改性处理,从而得到改性的Nafion膜;以及,HPW改性处理,从而得到Cs-HPW改性的Nafion膜。 |
申请公布号 |
CN102108128A |
申请公布日期 |
2011.06.29 |
申请号 |
CN200910243704.0 |
申请日期 |
2009.12.23 |
申请人 |
北京航空航天大学 |
发明人 |
相艳;杨萌;卢善富;张劲 |
分类号 |
C08J7/12(2006.01)I;C08J7/14(2006.01)I;H01M8/02(2006.01)I;H01M2/16(2006.01)I |
主分类号 |
C08J7/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 |
代理人 |
李强;吴云华 |
主权项 |
Nafion膜的Cs‑HPW表面改性方法,其特征在于包括:铯改性处理,从而得到铯改性的Nafion膜;以及HPW改性处理,从而得到Cs‑HPW改性的Nafion膜(“Cs‑HPW‑Nafion膜”)。 |
地址 |
100191 北京市海淀区学院路37号 |