发明名称 |
在一次写入介质中覆写数据的方法及其记录再现的设备 |
摘要 |
一种在一次写入信息存储介质中覆写数据的方法和一种数据记录和/或再现设备。在数据覆写方法中,在一次写入信息存储介质的数据已被记录的第一区覆写新数据的命令被发布。然后,第一区被认为是缺陷区,且数据被记录在第二区。其后,包括关于第一和第二区的位置的信息的更新的缺陷管理信息,被记录在一次写入信息存储介质中。 |
申请公布号 |
CN1941143B |
申请公布日期 |
2011.06.29 |
申请号 |
CN200610143144.8 |
申请日期 |
2004.03.23 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
黄盛凞;高祯完;李坰根 |
分类号 |
G11B20/10(2006.01)I;G11B7/00(2006.01)I;G11B7/0045(2006.01)I |
主分类号 |
G11B20/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
韩明星;邱玲 |
主权项 |
一种在一次写入信息存储介质中覆写数据的方法,该方法包括:从主机接收逻辑地址以存储新数据;从一次写入信息存储介质读取记录状态信息,其中,记录状态信息通过区分被数据占据的区和未被占据的区表现该一次写入信息存储介质的记录状态;使用记录状态信息确定第一区是否被数据占据,所述第一区具有与逻辑地址对应的一次写入信息存储介质中的物理地址,并且,如果第一区被数据占据,则确定第一区为缺陷区并在具有与第一区的物理地址不同的物理地址的第二区内记录新的数据;产生临时缺陷序列项目,该临时缺陷序列项目包括第一和第二区的物理地址;在排列在一次写入信息存储介质的导入区中的临时盘管理区域中记录包括临时缺陷序列项目的临时缺陷序列;以及在临时盘管理区域中记录包括与临时缺陷序列的位置有关的信息的临时盘缺陷结构。 |
地址 |
韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416 |