半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种在衬底上制造半导体器件的方法及其制造的半导体器件，其包括多个柱状物图案、在相邻柱状物图案之间的杂质区域、在每个柱状物图案上的栅电极、覆盖所述栅电极的第一覆盖层及覆盖在相邻柱状物图案的所述栅电极之间的所述第一覆盖层的分隔层，在所述方法中，移除除接触所述分隔层的部分之外的所述第一覆盖层，形成牺牲层以覆盖所述栅电极，在每个柱状物图案的侧壁上形成第二覆盖层，移除所述牺牲层并形成连接所述相邻柱状物图案的所述栅电极的字线。在所制造的器件中，所述第一覆盖层将所述杂质区域与所述字线隔离，且所述第二覆盖区域防止所述各柱状物图案的侧壁暴露。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成多个柱状物图案；在相邻的所述柱状物图案之间的所述衬底中形成杂质区域；形成围绕每一个所述柱状物图案的一部分的栅电极；在所述衬底上形成第一覆盖层以覆盖每一个所述柱状物图案的所述栅电极；分隔所述杂质区域，并形成覆盖位于所述相邻柱状物图案的所述栅电极之间的所述第一覆盖层的分隔层；将除接触所述分隔层的部分以外的所述第一覆盖层移除，以部分地暴露出每一个所述柱状物图案的所述栅电极；形成覆盖所述暴露的栅电极的牺牲层；在所述柱状物图案的侧壁上形成第二覆盖层；移除所述牺牲层；和在所述牺牲层已被移除之处形成字线以连接所述相邻柱状物图案的所述栅电极。