| 发明名称 | 一种氮化镓基发光二极管外延层表面粗化的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延层表面粗化的方法，包括：(1)在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层；(2)在氮化镓外延层表面生长SiO2薄膜或者SiNx薄膜；(3)在SiO2薄膜或者SiNx薄膜上涂敷光刻胶，制作光刻图形；(4)刻蚀光刻胶窗口下的SiO2或者SiNx薄膜，去胶后得到图形化的SiO2或者SiNx薄膜；(5)步骤(4)得到的SiO2或者SiNx薄膜上外延生长P型氮化镓；(6)腐蚀SiO2或者SiNx薄膜获得凸凹起伏的表面。本发明克服了图形化蓝宝石衬底上的氮化镓LED外延层表面形貌难以做得粗糙的问题，避免了干法刻蚀对外延层损伤，提高了LED的出光效果。 | ||
| 申请公布号 | CN101714594B | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN200910102321.1 | 申请日期 | 2009.08.28 |
| 申请人 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 发明人 | 田洪涛 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 氮化镓基发光二极管外延层表面粗化的方法，其特征在于包括：(1)在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层；(2)在氮化镓外延层表面生长SiO2薄膜或者SiNx薄膜；(3)在SiO2薄膜或者SiNx薄膜上涂敷光刻胶，制作光刻图形；(4)刻蚀光刻胶窗口下的SiO2或者SiNx薄膜，将光刻图形转移到SiO2或者SiNx薄膜上，去胶后得到图形化的SiO2或者SiNx薄膜；(5)步骤(4)得到的SiO2或者SiNx薄膜上外延生长P型氮化镓，所述生长的P型氮化镓的厚度不超过SiO2或者SiNx薄膜的厚度；(6)腐蚀SiO2或者SiNx薄膜获得凸凹起伏的表面。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区东区10号路300号 | ||