biCMOS器件及biCMOS器件的制造方法

摘要

本发明公开一种包括双极晶体管和多晶硅/绝缘体/多晶硅电容器的biCMOS器件。该biCMOS器件在双极晶体管处可具有相对较低的串联电阻。该双极晶体管可具有理想的放大率。

主权项

一种BiCMOS器件的制造方法，包括：在半导体衬底中形成掺有第二导电类型材料的第一阱区和掺有第一导电类型材料的第二阱区；在该第一阱区和该第二阱区的结处的半导体衬底上方形成场绝缘层；在该场绝缘层上沉积第一多晶硅层；在该第一多晶硅层上方形成掩模图案；通过该掩模图案注入该第二导电类型材料的离子，以在该第一阱区中形成掺杂区；通过该掩模图案注入该第二导电类型材料的离子，以掺杂电容器区中的该第一多晶硅层；除去该掩模图案；以及在该掺杂区中形成掺有第二导电类型材料的集电区，其中，该掺杂区掺杂的该第二导电类型材料的浓度大于该第一阱区的该第二导电类型材料的浓度。