| 发明名称 | 用于薄膜晶体管的杂化的介电材料 | ||
| 摘要 | 薄膜晶体管是使用一种有机硅酸盐玻璃(OSG)作为一种绝缘材料来制造的。这些有机硅硅酸盐玻璃可以是通过等离子体增强化学气相沉积法从硅氧烷和氧气沉积的SiO2-有机硅杂化材料。这些杂化材料可以用作栅极电介质，作为一种底层，和/或作为一种反向通道钝化层。这些晶体管可以按任何TFT几何构型来制造。 | ||
| 申请公布号 | CN102113120A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN200980130189.3 | 申请日期 | 2009.07.30 |
| 申请人 | 普林斯顿大学理事会 | 发明人 | 韩琳;P·曼德利克;S·瓦格纳 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 杨勇 |
| 主权项 | 一种电子器件，包括一个场效应晶体管，该场效应晶体管包括：一个半导体活性层，该半导体活性层包括一种半导体材料；一个源极电极以及一个漏极电极；一个栅电极；以及置于该栅电极和该半导体活性层之间的一种绝缘材料，该绝缘材料主要由一种有机硅酸盐玻璃构成。 | ||
| 地址 | 美国新泽西 | ||