| 发明名称 | 具有三维表面轮廓的衬底的功率半导体模块及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有三维表面轮廓的衬底的功率半导体模块及其制造方法，其具有：衬底；用于对外电连接的连接元件；和大量功率半导体构件，衬底具有电绝缘层，在电绝缘层上布置第一金属层，第一金属层自身被结构化并进而构成第一分层，在第一金属层上布置带至少一个第二分层的第二金属层，第二分层具有三维表面轮廓。制造时以具有绝缘层及具有自身结构化的进而构成第一分层的第一金属层的基础衬底开始。接着，构成第二金属层使得构成具有三维表面结构的各个分层。在将第二分层布置在所配属的第一分层上之后，将功率半导体构件布置在第二金属层上。其中对衬底进行了改进，该功率半导体模块对于内部电连接装置的简单布置方案也是行得通的。 | ||
| 申请公布号 | CN102110679A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN201010528255.7 | 申请日期 | 2010.10.21 |
| 申请人 | 赛米控电子股份有限公司 | 发明人 | 汤姆斯·施托克迈尔 |
| 分类号 | H01L25/07(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 车文;樊卫民 |
| 主权项 | 功率半导体模块，具有：衬底(10)；用于对外电连接的连接元件(180、182)；以及大量功率半导体构件(20)，其中，所述衬底(10)具有电绝缘层(12)，在所述电绝缘层(12)上布置有第一金属层，所述第一金属层自身被结构化并且进而构成第一分层(14a/14b/14c)，并且其中，在所述第一金属层上布置有带至少一个第二分层(16a/16b/16c)的第二金属层，所述至少一个第二分层(16a/16b/16c)具有三维表面轮廓。 | ||
| 地址 | 德国纽伦堡 | ||