半导体元件及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体元件及其形成方法，该半导体元件包含：半导体基板；栅极结构形成于基板上；侧壁间隔物形成于栅极结构两侧的侧壁上；源极及漏极形成于半导体基板中，位于栅极结构两侧，且具有第一型导电性；轻掺杂区形成于基板中，对准栅极结构的侧壁，且具有第一型导电性；以及阻挡区形成于半导体基板中并邻接漏极，且具有第二型导电性。上述阻挡区掺杂有第二型导电性的掺质，且第一型导电型与第二型导电性不同。本发明所形成的半导体元件具有高阻断电压。

主权项

一种半导体元件，包括：一半导体基板；一栅极结构形成于该半导体基板上；一轻掺杂区形成于该半导体基板中，对准该栅极结构的侧壁，且具有第一型导电性；一源极及一漏极形成于该半导体基板中，位于该栅极结构两侧，且具有第一型导电性；一阻挡区形成于该半导体基板中，邻接该漏极，且具有第二型导电性，其中该阻挡区为一半导体材料，且该半导体材料与该半导体基板的组成不同。