发明名称 |
一种用于溅射镀膜的阴极 |
摘要 |
本发明公开了一种用于溅射镀膜的阴极,包括靶材、内部设有腔体的阴极组件、磁铁,所述磁铁位于阴极组件的腔体内,其特征在于:所述磁铁的一个磁极朝向靶材方向,另一个磁极背向靶材方向设置,磁铁朝向靶材的磁极端面为内凹的曲面,使所述靶材位于由磁铁产生的磁场中,磁场的方向垂直于靶材表面。采用本发明的平面溅射镀膜阴极,对磁性和非磁性靶材都能获得更高溅射速率,同时能比较均匀地整体刻蚀靶材、靶材的利用率可以提高到85~90%以上,并有利于薄膜的结晶生长和高品质薄膜的制备;且该溅射镀膜阴极结构简单,既可用于新型溅射镀膜系统的设计制造,也可很方便地用于对现有溅射镀膜阴极的改造,提高镀膜系统的性能和效率。 |
申请公布号 |
CN101570852B |
申请公布日期 |
2011.06.29 |
申请号 |
CN200910027043.8 |
申请日期 |
2009.05.25 |
申请人 |
苏州大学 |
发明人 |
狄国庆 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
陶海锋 |
主权项 |
一种用于溅射镀膜的阴极,包括靶材、内部设有腔体的阴极组件、磁铁,所述靶材为平面靶材,所述磁铁位于阴极组件的腔体内,所述磁铁的一个磁极朝向靶材方向,另一个磁极背向靶材方向设置,其特征在于:磁铁朝向靶材的磁极端面为内凹的曲面、使所述靶材位于由磁铁产生的磁场中,磁场的方向垂直于靶材表面。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 |