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CRESCIMENTO PULSADO DE NANOFIOS DE GaN E APLICAçõES EM MATERIAIS E DISPOSITIVOS DE SUBSTRATO SEMICONDUTOR DE NITRETO DO GRUPO III. A presente invenção refere-se a exemplos de modalidades fornecem dispositivos semicondutor que incluem nanofios do grupo III-N de alta qualidade (isto é, livres de defeitos) e arranjos uniformes de nanofio do grupo lII-N assim como seus processos que podem ser ampliados para fabricação em que a posição, a orientação, os aspectos da seção transversal, o comprimento e a cristalinidade de cada nanofio podem ser controlada com precisão. Pode ser usado um modo de crescimento pulsado para fabricar os nanofios do grupo lIl-Ns e/ou os arranjos de nanofio descritos que fornecem um comprimento uniforme de em torno de 10 nm até em torno de 1000 mícrons com aspectos de seção transversal constantes inclusive um exemplo de diâmetro de em torno de 10-1000 nm. Além disso, podem ser formadas estruturas de substrato de GaN de alta qualidade por coalescência do grande número de nanofios de GaN e/ou de arranjos de nanofio para facilitar a fabricação de LEDs visíveis e de lasers. Além disso, as estruturas de nanofio de núcleo-casca/MQW ativas podem ser formadas por um crescimento núcleo-casca sobre as laterais não-polares de cada nanofio e podem ser configuradas em dispositivos fotoeletrónicos em nanoescala tais como LEDs de nanofio e/ou laseres de nanofio para fornecer eficiências enormemente altas.
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