| 摘要 |
1. Способ изготовления инвертора, работающего в режиме обогащения/обеднения (E/D), имеющего множество тонкопленочных транзисторов на одной и той же подложке, канальные слои упомянутых транзисторов состоят из оксидного полупроводника, содержащего по меньшей мере один элемент, выбранный из In, Ga и Zn, способ содержит этапы, на которых: ! формируют первый транзистор и второй транзистор, толщина канальных слоев первого и второго транзисторов является взаимно различной; и ! применяют термообработку по меньшей мере к одному из канальных слоев первого и второго транзисторов. ! 2. Способ по п.1, в котором на этапе применения термообработки термообработка выполняется посредством приложения большего количества тепла к какому-либо одному из канальных слоев первого транзистора и второго транзистора. ! 3. Способ по п.1, в котором этап применения термообработки содержит этап, на котором локально нагревают частичную область канального слоя посредством контактного нагревания или облучения электромагнитными волнами. ! 4. Способ по п.1, в котором инвертор имеет по меньшей мере один вид структуры из: ! структуры, в которой составляющий материал электрода истока первого транзистора и составляющий материал электрода истока второго транзистора являются взаимно различными, ! структуры, в которой составляющий материал электрода стока первого транзистора и составляющий материал электрода стока второго транзистора являются взаимно различными, и ! структуры, в которой составляющий материал электрода затвора первого транзистора и составляющий материал электрода затвора второго транзистора являются взаимно различными, и ! этап приме |
