功率MOS晶体管的结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种功率MOS晶体管的阵列结构，其为将功率MOS晶体管漏端上的栅极设置为分离的两段，且每段栅极下方和源端下方均设置有导电类型与体区相同的阱。本发明还公开了一种功率MOS晶体管的阵列结构的制备方法，为：在外延层上离子注入形成阱，所述阱的导电类型与所述功率MOS晶体管中的体区相同；在多晶硅淀积之后，刻蚀去除源区上方的多晶硅；而在离子注入形成源区之后，进行刻蚀去除漏端上方位于两个阱之间的多晶硅和栅氧，保留位于所述阱上方的多晶硅。本发明的阵列结构中，利用高密度的阱阵列结构，使得功率MOS器件在100V以下时，相同截止耐击穿电压下，通态电阻远小于一般VDMOS。

主权项

一种功率MOS晶体管的结构，其特征在于：所述功率MOS晶体管漏端上的栅极设置为分离的两段，且每段栅极下方和源端下方均设置有导电类型与体区相同的阱。