| 发明名称 | 半导体瓷器组成物 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体瓷器组成物，在BaTiO3半导体瓷器组成物中，不使用Pb，可以将居里温度改变为正向，以及可以显著地减小室温下的电阻率。根据本发明，当Ba被Al元素(Na、K和Li的至少一种)和A2元素(Bi)部分替代，以及Ba进一步被特定数量的Q元素代替时，或当Ba被Al元素(Na、K和Li的至少一种)和A2元素(Bi)代替以及Ti被特定数量的M元素部分地代替时，可以应用最佳化合价控制，由此可以显著地减小室温下的电阻率。由此，它对于PTC热敏电阻、PTC加热器、PTC开关、温度检测器等中的应用是最佳的，特别优选用于车辆加热器。 | ||
| 申请公布号 | CN101272998B | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200580051305.4 | 申请日期 | 2005.08.11 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 岛田武司;松本啓;寺尾公一;田路和也;西川和裕 |
| 分类号 | C04B35/468(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/468(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人 | 杨本良;文琦 |
| 主权项 | 一种具有由[(A10.5A20.5)x(Ba1‑Qy)1‑x]TiO3表示的组成式的半导体瓷器组成物，其中，A1是Na、K和Li的至少一种，A2是Bi，Q是La、Dy、Eu和Gd的至少一种，以及其中x和y每个满足0＜x≤0.2和0.002≤y≤0.01。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||