半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有通路孔的半导体装置及其制造方法，其目的在于，能够同时实现防止通路孔内的阻挡层覆盖不足和控制通路电阻这两种功能。准备其表面上具有焊盘电极(3)的半导体衬底(1)。然后从半导体衬底(1)的背面向表面方向进行蚀刻，形成使焊盘电极(3)露出的通路孔(8)。接着，用溅射法或者PVD法以及反向溅射法(蚀刻)在通路孔(8)内形成第一阻挡层(11)。通过进行该反向溅射，除去通路孔(8)底部的阻挡层，使焊盘电极(3)露出。然后，在通路孔内露出的焊盘电极(3)上形成第二阻挡层(12)。通过只调节第二阻挡层(12)的膜厚来控制通路电阻。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：准备其表面上具有下层导电体的半导体衬底，从所述半导体衬底的背面向表面方向除去所述半导体衬底，形成使所述下层导电体露出的通路孔的工序；用溅射法或者PVD法在所述通路孔内形成第一阻挡层的工序；进行反向溅射，通过部分除去沉积在所述通路孔底部的所述第一阻挡层，使所述下层导电体的表面露出，并且在所述通路孔底部中难以沉积的部分也沉积阻挡层材料的工序；在所述通路孔底部露出的所述下层导电体上形成第二阻挡层的工序；在所述通路孔内的所述第二阻挡层上形成贯通电极，在所述半导体衬底的背面上形成经由所述贯通电极与所述下层导电体电连接的上层导电体的工序。