| 发明名称 | 图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。在该图像传感器中，半导体衬底上形成有读出电路。包括下金属线的层间绝缘层位于半导体衬底上，下金属线与读出电路电连接。缓冲绝缘层位于层间绝缘层上。下电极贯穿缓冲绝缘层以与下金属线连接。结晶半导体层位于缓冲绝缘层上，结晶半导体层与下电极部分地连接。光电二极管位于结晶半导体层中。本发明的图像传感器可以增加填充因子并且减少在接合表面中产生的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101471375B | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200810190644.6 | 申请日期 | 2008.12.26 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 任劲赫 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郑小军;冯志云 |
| 主权项 | 一种图像传感器，包括：半导体衬底，其上形成有读出电路；层间绝缘层，位于该半导体衬底上方，该层间绝缘层包括与该读出电路电耦合的下金属线；缓冲绝缘层，位于该层间绝缘层上方；下电极，其贯穿该缓冲绝缘层，以与该下金属线连接；结晶半导体层，位于该缓冲绝缘层上方，该结晶半导体层与该下电极部分地连接；以及光电二极管，位于该结晶半导体层中。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||