| 发明名称 | 光电转换装置的制造方法及光电转换装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种尽可能防止电流经由中间接触层分离槽泄漏的情况的光电转换装置的制造方法。该方法包括：制膜以非结晶硅为主成分的顶层(91)的工序；在顶层(91)上制膜进行电连接及光学连接的中间接触层(93)的工序；照射脉冲激光，除去中间接触层(93)，并形成到达顶层(91)的中间接触层分离槽(14)而将中间接触层(93)分离的工序；在中间接触层(93)上及中间接触层分离槽(14)内制膜进行电连接及光学连接且以微结晶硅为主成分的底层(92)的工序。中间接触层分离槽(14)在顶层(91)的i层内形成终端。 | ||
| 申请公布号 | CN102105991A | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200980128810.2 | 申请日期 | 2009.10.02 |
| 申请人 | 三菱重工业株式会社 | 发明人 | 宇田和孝;马场智义;石出孝;川添浩平;西宫立享 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 一种光电转换装置的制造方法，包括：制膜以硅为主成分的第一光电转换层的第一光电转换层制膜工序；在所述第一光电转换层上制膜对该第一光电转换层进行电连接及光学连接的中间接触层的中间接触层制膜工序；照射激光，除去所述中间接触层，并形成到达所述第一光电转换层的中间接触层分离槽而将该中间接触层分离的中间接触层分离工序；制膜第二光电转换层的第二光电转换层制膜工序，该第二光电转换层在所述中间接触层上及所述中间接触层分离槽内对该中间接触层进行电连接及光学连接且以硅为主成分，其中，所述第一光电转换层由i层、隔着该i层制膜的p层及n层构成，所述中间接触层分离工序以在所述第一光电转换层的所述i层形成终端的方式形成所述中间接触层分离槽。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||