| 发明名称 | 栅氧化层制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种栅氧化层制作方法，包括下列步骤：提供包含第一区域和第二区域的半导体衬底，在所述的半导体衬底上形成比预定厚度厚10埃至100埃的第一栅氧化层；在第一区域的第一栅氧化层上形成光刻胶层，以所述光刻胶层为掩膜，采用pH值在2至8的湿法刻蚀试剂，去除第二区域半导体衬底上的部分第一栅氧化层，刻蚀后第二区域剩余的第一栅氧化层的厚度范围为10至20埃；去除光刻胶层；采用pH值在2至6的湿法刻蚀剂，去除第二区域剩余的第一栅氧化层；在半导体衬底的第一区域上形成第二栅氧化层。 | ||
| 申请公布号 | CN102103992A | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200910201350.3 | 申请日期 | 2009.12.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 林德成;袁馨 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种栅氧化层制作方法，其特征在于，包括：提供包含第一区域和第二区域的半导体衬底，在所述的半导体衬底上形成比预定厚度厚10埃至100埃的第一栅氧化层；在第一区域的第一栅氧化层上形成光刻胶层，以所述光刻胶层为掩膜，采用pH值在2至8的湿法刻蚀试剂，去除第二区域半导体衬底上的部分第一栅氧化层，刻蚀后第二区域剩余的第一栅氧化层的厚度范围为10至20埃；去除光刻胶层；采用pH值在2至6的湿法刻蚀剂，去除第二区域剩余的第一栅氧化层；在半导体衬底的第一区域上形成第二栅氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||