制备小尺寸图形衬底的方法

摘要

本发明提供一种制备小尺寸图形衬底的方法，其先在待形成图形的透光性半导体衬底的一表面采用曝光-光刻工艺形成图形宽度为1.5μm-2μm，图形之间间距为1.5μm-1μm、图形的高度为0.5μm-1μm的薄光刻胶层图形，再对所述薄光刻胶层图形进行处理以使其转化为不透光图形，然后在不透光图形表面涂覆厚度为3-4μm的厚光刻胶，接着使光自所述半导体衬底的另一表面进入，对所述厚光刻胶进行光刻，从而形成厚光刻胶图形，最后采用刻蚀法将所述厚光刻胶图形转移至所述半导体衬底，由此可仅凭借普通曝光机也能制备出小尺寸图形衬底，避免采用昂贵的小尺寸图形衬底制备设备，有利于企业降低成本。

主权项

一种制备小尺寸图形衬底的方法，其特征在于包括：1)在待形成图形的透光性半导体衬底的一表面采用曝光‑光刻工艺形成图形宽度为1.5μm‑2μm，图形之间间距为1.5μm‑1μm、图形的高度为0.5um‑1um的薄光刻胶层图形；2)对所述薄光刻胶层图形进行处理以使其转化为不透光图形；3)在不透光图形表面涂覆厚度为3‑4μm的厚光刻胶；4)使光自所述半导体衬底的另一表面进入，对所述厚光刻胶进行光刻，从而形成厚光刻胶图形；5)采用刻蚀法将所述厚光刻胶图形转移至所述半导体衬底。