| 发明名称 | 发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在具有发光层部24的由III-V族化合物半导体所构成的主化合物半导体层50一方的主表面，具有将透明导电性半导体基板70直接贴合的构造，且将主化合物半导体层50与透明导电性半导体基板70的贴合界面的碱金属原子浓度调整在大于或等于1×1014atoms/cm2、小于或等于2×1015atoms/cm2的范围。由此，提供一种可充分降低发光层部与透明导电性半导体基板界面电阻的发光元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101589479B | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200880002856.5 | 申请日期 | 2008.01.28 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 铃木由佳里;池田淳 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 楼高潮 |
| 主权项 | 一种发光元件，其特征在于：在具有发光层部的由III‑V族化合物半导体所构成的主化合物半导体层一方的主表面，具有将透明导电性半导体基板直接贴合的构造，且将上述主化合物半导体层与该透明导电性半导体基板的贴合界面的碱金属原子浓度调整在大于或等于1×1014atoms/cm2、小于或等于2×1015atoms/cm2的范围。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||