| 发明名称 | 一种多晶刻蚀前硅片的清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶刻蚀前硅片的清洗方法，涉及半导体制造技术，一种多晶刻蚀前硅片的清洗方法，包括：使用氢氟酸清洗所述硅片；使用双氧水清洗所述硅片。由于在使用HF清洗硅片后，再使用具有氧化性的清洗剂来清洗，以使得硅片表面生成一层薄薄的氧化层，防止水迹的形成，然后再进行甩干，减少了水迹，从而使得刻蚀可以顺利进行，提高成品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102102207A | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200910242571.5 | 申请日期 | 2009.12.16 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 曾永祥;方绍明;王新强;陈勇;张立荣 |
| 分类号 | C23F1/24(2006.01)I;C01B33/037(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 李娟 |
| 主权项 | 一种多晶刻蚀前硅片的清洗方法，其特征在于，包括：使用氢氟酸清洗所述硅片；使用具有氧化性的清洗剂清洗所述硅片。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦513 | ||