顶接触结构有机场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种顶接触结构有机场效应晶体管的制备方法，属于微电子学技术领域。其步骤包括在导电基底上制备绝缘介质层；在绝缘介质层表面上沉积生长一层有机半导体薄膜；在有机半导体薄膜表面沉积生长一层绝缘保护层；在保护层表面旋涂一层光刻胶并曝光形成有机场效应晶体管的源漏电极图形；以光刻胶为掩模刻蚀保护层；沉积生长金属并剥离形成源漏电极。本发明在绝缘介质层表面沉积生长有机半导体材料，再旋涂生长有机绝缘介质层，有机半导体层被有机绝缘层覆盖，后续工艺不会对有机半导体层产生影响；另外，本发明的方法工艺简单、重复性好、稳定性高。

主权项

一种顶接触结构有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：步骤A：在导电基底上沉积生长绝缘介质薄膜；步骤B：在所述绝缘介质薄膜表面上沉积生长有机半导体薄膜；步骤C：在所述有机半导体薄膜上沉积生长一层绝缘介质保护层；步骤D：在所述绝缘介质保护层表面旋涂光刻胶保护层，通过光刻得到源漏电极的图形；步骤E：以光刻胶为保护层，刻蚀图形区绝缘介质保护层，形成源漏电极图形；步骤F：在所述源漏图形区沉积生长金属层，形成源漏电极。