发明名称 非晶丝磁阻抗传感器
摘要 本实用新型提供了一种非晶丝磁阻抗传感器,包括:非晶丝;信号采样线圈,缠绕在非晶丝上,用于检测外部磁场信息;激励电路,用于直接向非晶丝提供激励信号;和信号采集与处理电路,采集信号采样线圈输出的电压信号并对其进行处理,从而输出直流电压信号,其中,还包括直流偏置电压电路,直接与非晶丝连接,用于给非晶丝提供直流偏置电压,从而增强环形磁畴在圆周方向上的磁化,使得圆周磁导率增加,而且也使得非晶丝环形磁畴的指向趋于一致。通过采取直流偏置电压电路的方法能够显著增强非晶丝的磁阻抗效应,大大提高磁场测量的灵敏度,从而能够感测到更微弱的磁场变化。
申请公布号 CN201876532U 申请公布日期 2011.06.22
申请号 CN201020276181.8 申请日期 2010.07.30
申请人 石家庄吉纳科技有限公司 发明人 韩喜萍
分类号 G01R33/02(2006.01)I 主分类号 G01R33/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种非晶丝磁阻抗传感器,包括:非晶丝;信号采样线圈,缠绕在非晶丝上,用于检测外部磁场信息;激励电路,用于直接向非晶丝提供激励信号;和信号采集与处理电路,采集信号采样线圈输出的电压信号并对其进行处理,从而输出直流电压信号,其特征在于,还包括直流偏置电压电路,直接与非晶丝连接,用于给非晶丝提供直流偏置电压,从而增强环形磁畴在圆周方向上的磁化,使得圆周磁导率增加,而且也使得非晶丝环形磁畴的指向趋于一致。
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