ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法

摘要

本发明公开了一种ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法，属于一维纳米半导体技术领域。本发明采用两步化学气相沉积法成功制备出了ZnO/ZnS核壳结构的一维纳米材料，并通过后期醋酸处理得到单晶ZnS纳米管。此发明操作简单，对设备和原料条件要求低，且制备出的ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料，形貌纯净，ZnS外延性好，且是单晶外延，有区别于单一ZnO和ZnS纳米材料的光电特性，在纳米光电领域中具有广泛的应用前景。

主权项

一种ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a.  ZnO一维纳米材料的制备1) 取ZnS粉末放入陶瓷舟中，然后将其放在管式炉的高温加热区，所述ZnS粉的纯度不低于99.90%； 2) 将表面覆金的衬底放在管式炉的低温加热区；3) 打开机械泵，待炉内真空降至0.1Pa时，将10~15sccm的空气、40~60sccm的混合气通入管式炉内，控制其压强为80~120 Pa，其中所述混合气中含有体积百分含量为90%~95%的不活泼气体和5%~10%的氢气；4) 将管式炉高温区升至750~800℃，升温速度为15~25℃/min；低温区升至600~650℃，升温速度为15~20℃/min，反应时间为1~2小时；5) 反应结束，待管式炉降至室温后，取出衬底，上面载有ZnO一维纳米材料； b．ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料的制备6) 取ZnS粉末放入陶瓷舟中，然后将其放在管式炉的高温加热区，所述ZnS粉的纯度不低于99.90%； 7) 将载有ZnO一维纳米材料的衬底放在管式炉的低温加热区；8) 打开机械泵，待炉内真空降至0.1Pa时，将40~60sccm的混合气通入管式炉中，控制其压强在100~1000 Pa，其中所述混合气中含有体积百分含量为90%~95%的不活泼气体和5%~10%的氢气；9) 将管式炉高温区升至700~750℃，升温速度为15~25℃/min；低温区升至600~650℃，升温速度为15~20℃/min，反应时间为1~2小时； 10) 反应结束，待管式炉降至室温后，取出衬底，上面载有ZnO/ZnS核壳结构的一维纳米材料。