发明名称 一种纳米复合薄膜的制备方法
摘要 本发明公开了一种纳米复合薄膜的制备方法。本发明利用中频磁控溅射和直流磁控溅射技术分别溅射TiAl复合靶和石墨靶,制备了与底材结合强度高,具有高韧性、低摩擦的三元纳米复合薄膜。纳米复合薄膜具有较高硬度、高韧性和良好的减摩性能,因此适用于高精度空间运动部件、微机电系统的润滑,并有望成为一种长寿命、低摩擦的新型减摩抗磨空间润滑薄膜。
申请公布号 CN102101638A 申请公布日期 2011.06.22
申请号 CN200910117750.6 申请日期 2009.12.18
申请人 中国科学院兰州化学物理研究所 发明人 刘维民;逄显娟;夏延秋;王云峰;王永欣
分类号 B82B3/00(2006.01)I 主分类号 B82B3/00(2006.01)I
代理机构 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 代理人 方晓佳
主权项 一种纳米复合薄膜的制备方法,其特征在于该方法依次步骤为:A活化清洗表面:将分别在乙醇和丙酮中超声清洗过的底材置于样品室后抽真空至1.0×10‑3~2.0×10‑3Pa,通入氩气至0.5~3.0Pa,打开脉冲偏压电源,偏压调至‑500~‑1000V,占空比为50%~80%,用氩等离子体对底材表面进行活化清洗;B沉积TiAl过渡层:清洗完毕后,打开中频电源溅射TiAl复合靶,TiAl复合靶中两种组分体积比为Ti∶Al=1∶1~6∶1,将溅射电流调至1.5~3.0A,同时脉冲偏压调至‑100~‑400V,占空比为50%~80%,沉积10~20分钟;C沉积Ti‑Al‑C/DLC复合薄膜:同时打开直流电源溅射石墨靶,中频电源溅射电流为0.8~1.0A,溅射电压为390~450V;直流电源溅射电流为1.0~1.2A,溅射电压为400~450V。脉冲偏压为‑100~‑300V,占空比为50%~80%,沉积100~150分钟,在底材表面沉积了Ti‑Al‑C/DLC三元纳米复合薄膜。
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