| 发明名称 | 离子注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种离子注入方法，在该方法中，通过电效应或磁效应，使沿一直线路径出射的离子束进行一次偏转后注入一工件。该方法能够过滤掉大量的中性粒子，且能够保证注入工件的离子束的较大剂量和较好的能量单色性。 | ||
| 申请公布号 | CN102102190A | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200910201398.4 | 申请日期 | 2009.12.18 |
| 申请人 | 上海凯世通半导体有限公司 | 发明人 | 陈炯;钱锋 |
| 分类号 | C23C14/48(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 薛琦;朱水平 |
| 主权项 | 一种离子注入方法，其特征在于，在该方法中，通过电效应或磁效应，使沿一直线路径出射的离子束进行一次偏转后注入一工件。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号 | ||