| 发明名称 | 使用场屏蔽的象素性能改进 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于有源矩阵显示器的象素单元(100)及其制造方法，该象素单元(100)包括象素垫(110)和薄膜场效应晶体管(106)，薄膜场效应晶体管(106)选择性地对信号进行耦合以激活/停用该象素垫。场屏蔽体(112)形成于绝缘层(102)上并通过该绝缘层连接到该象素垫，从而使场屏蔽体延伸到该象素垫的至少一部分的上方。场屏蔽体可以延伸到薄膜晶体管上方并形成第二栅极(215)，以用于提高象素单元和薄膜晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101288171B | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200680031116.5 | 申请日期 | 2006.06.27 |
| 申请人 | 聚合物视象有限公司 | 发明人 | H·E·A·休特马;G·H·格林克 |
| 分类号 | H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曾祥夌;张志醒 |
| 主权项 | 一种用于有源矩阵显示器的象素单元，包括：象素垫(110)；薄膜场效应晶体管(106)，选择性地耦合信号以激活/停用所述象素垫；场屏蔽体(112)，形成于绝缘层(102)上，并穿过所述绝缘层连接到所述晶体管，从而使所述场屏蔽体在所述象素单元的电极的至少一部分上或所述晶体管(106)的至少一部分上延伸，其中所述场屏蔽体(112)在所述薄膜场效应晶体管(106)的一部分上或者在相邻象素单元的象素垫(110)的一部分上延伸从而形成与相邻象素单元的薄膜场效应晶体管或者所述相邻象素单元的象素垫的电容性关系。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||