| 发明名称 | 存储元件与其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种存储元件的制造方法，此方法包括在基底上依序形成具有栅极介电层结构的电荷储存结构，接着在电荷储存结构上方形成栅极导体层，之后图案化栅极导体层以及至少部分电荷储存结构。图案化后的电荷储存结构的剖面大致呈梯形或类梯形，此梯形或类梯形接近栅极导体层为短边而接近基底为长边。 | ||
| 申请公布号 | CN101510507B | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200810009779.8 | 申请日期 | 2008.02.15 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈致霖;刘光文;陈昕辉 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 一种存储元件的制造方法，包括：形成包含一栅极介电层结构的一电荷储存结构，该电荷储存结构包括一电荷捕捉层，位于该栅极介电层结构上；在该电荷储存结构上形成一栅极导体层；以及以该栅极介电层结构为蚀刻终止层，图案化该栅极导体层以及至少部分该电荷储存结构，使该图案化后的该电荷储存结构的剖面呈一梯形或类梯形，其中该电荷储存结构接近该栅极导体层为短边而接近该基底为长边。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行路16号 | ||