发明名称 |
一种在单块芯片上集成高性能器件与低功耗器件的制造方法 |
摘要 |
本发明属于半导体器件制造技术领域,具体涉及一种在单块芯片上集成碰撞电离场效应晶体管(IMOS)与隧穿场效应晶体管(TFET)的制造方法,其中通过控制第三次离子注入的剂量,不仅可以制造出相同沟道类型的TFET和与IMOS,还可以制造出不同沟道类型的TFET与IMOS直接构成反相器结构。本发明所提出的在单块芯片上集成IMOS器件和TFET器件的制造方法,不仅可以用于高速高性能集成电路制造,还可以用于低功耗集成电路制造;而且由于是在单块芯片上同时制造,降低了生产成本。 |
申请公布号 |
CN102104027A |
申请公布日期 |
2011.06.22 |
申请号 |
CN201010592833.3 |
申请日期 |
2010.12.17 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
臧松干;王鹏飞;张卫 |
分类号 |
H01L21/84(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/84(2006.01)I |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 31200 |
代理人 |
陆飞;盛志范 |
主权项 |
一种在单块芯片上集成碰撞电离场效应晶体管与隧穿场效应晶体管的制造方法,其特征在于具体步骤包括:提供一个绝缘体上的硅衬底;第一次离子注入,形成具有第一种掺杂类型的掺杂区;第二次离子注入,形成具有第二种掺杂类型的掺杂区;淀积第一层光刻胶,并光刻形成图形;第三次离子注入,形成具有第二种掺杂类型的掺杂区;剥除第一层光刻胶;淀积第二层光刻胶,并光刻形成图形;刻蚀硅层,形成器件的源区与沟道区部分;剥除第二层光刻胶;形成第一层绝缘薄膜;形成第一层导电薄膜;刻蚀所述第一层绝缘薄膜、第一层导电薄膜形成器件的栅极结构;淀积第三层光刻胶,并光刻形成图形;刻蚀部分所述具有第一种掺杂类型的掺杂区,形成器件隔离结构;剥除第三层光刻胶;形成第二层绝缘薄膜,并刻蚀所述第二层绝缘薄膜形成接触孔;形成金属接触。 |
地址 |
200433 上海市杨浦区邯郸路220号 |