| 发明名称 | Al合金构件、电子装置制造装置、以及带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种机械强度优异到可以在大型制造装置中使用的程度的Al合金构件。Al合金构件的特征在于，以质量％计，Mg浓度为5.0％以下，Ce浓度为15％以下，Zr浓度为0.15％以下，余部由Al及不可避免杂质构成，所述不可避免杂质的元素分别为0.01％以下，所述Al合金构件具有大于30的维氏硬度。 | ||
| 申请公布号 | CN102105612A | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200980128811.7 | 申请日期 | 2009.07.28 |
| 申请人 | 国立大学法人东北大学;日本轻金属株式会社 | 发明人 | 大见忠弘;北野真史;田原稔;伊藤久和;白井孝太;佐伯雅之 |
| 分类号 | C22C21/00(2006.01)I;C25D11/04(2006.01)I;C25D11/06(2006.01)I | 主分类号 | C22C21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种Al合金构件，其特征在于，以质量％计，Mg浓度为5.0％以下，Ce浓度为15％以下，Zr浓度为0.15％以下，余部由Al及不可避免杂质构成，所述不可避免杂质的元素分别为0.01％以下，所述Al合金构件具有大于30的维氏硬度。 | ||
| 地址 | 日本国宫城县 | ||