发明名称 |
一种减轻稀土掺杂卤化物单晶开裂的方法 |
摘要 |
一种减轻稀土掺杂卤化物单晶开裂的方法,本发明是在晶体生长的后期引入特殊热处理方法,改善晶体易开裂的问题。晶体的热处理,是指在晶体生长的后期降温过程中,将炉子的温度略微回升,升温速率在0~1℃/h,且晶体任意点的温度不超过0.95Tm,Tm为稀土卤化物单晶的熔点。采用本发明热处理的单晶,改善或避免晶体生长过程中的开裂问题,对晶体的后期加工与利用也有很大帮助。 |
申请公布号 |
CN102102225A |
申请公布日期 |
2011.06.22 |
申请号 |
CN201010555027.9 |
申请日期 |
2010.11.22 |
申请人 |
福建福晶科技股份有限公司 |
发明人 |
张志城;吴少凡;陈伟;郑熠 |
分类号 |
C30B33/02(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I |
主分类号 |
C30B33/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种减轻稀土掺杂卤化物单晶开裂的方法,其特征在于在晶体生长的后期,改变上下加热炉的温度和上下加热炉的,改善晶体的机械性能以及晶体生长过程中的开裂问题。 |
地址 |
350000 福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号华晶楼 |