发明名称 一种减轻稀土掺杂卤化物单晶开裂的方法
摘要 一种减轻稀土掺杂卤化物单晶开裂的方法,本发明是在晶体生长的后期引入特殊热处理方法,改善晶体易开裂的问题。晶体的热处理,是指在晶体生长的后期降温过程中,将炉子的温度略微回升,升温速率在0~1℃/h,且晶体任意点的温度不超过0.95Tm,Tm为稀土卤化物单晶的熔点。采用本发明热处理的单晶,改善或避免晶体生长过程中的开裂问题,对晶体的后期加工与利用也有很大帮助。
申请公布号 CN102102225A 申请公布日期 2011.06.22
申请号 CN201010555027.9 申请日期 2010.11.22
申请人 福建福晶科技股份有限公司 发明人 张志城;吴少凡;陈伟;郑熠
分类号 C30B33/02(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I 主分类号 C30B33/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种减轻稀土掺杂卤化物单晶开裂的方法,其特征在于在晶体生长的后期,改变上下加热炉的温度和上下加热炉的,改善晶体的机械性能以及晶体生长过程中的开裂问题。
地址 350000 福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号华晶楼