| 摘要 |
Verfahren zur Herstellung eines Transistors, aufweisend: Ausbilden eines Photolackmusters auf einem Halbleitersubstrat einschließlich einer Isolationsschicht; Ausbilden eines Drift-Gebiets durch Implantieren erster und zweiter Dotierionen mit Hilfe des Photolackmusters als Maske; Ausbilden einer Gate-Oxidschicht auf dem Halbleitersubstrat, wobei die Gate-Oxidschicht dicker auf dem Drift-Gebiet ausgebildet wird als die maskierten Teile; Ausbilden eines Poly-Gates auf der Gate-Oxidschicht; Ausbilden von Source- und Drain-Gebieten in einem bestimmten Abstand vom Poly-Gate; und Ausbilden einer Silizidschicht auf dem Poly-Gate und den Source- und Drain-Gebieten, wobei ein dick ausgebildeter Teil der Gate-Oxidschicht eine Selbstanpassungsfunktion während der Source- und Drain-Implantation durchführt.
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