硅薄膜的处理方法及闪光灯照射装置

摘要

提供一种即使在基板与非晶硅薄膜之间局部地配置有金属层，也可得晶粒尺寸均匀且没有裂缝的多晶硅薄膜的硅薄膜的处理方法及用于该方法的闪光灯照射装置。该硅薄膜的处理方法，是将来自点亮时的脉宽为50～200μsec的闪光灯的光，照射于隔着局部地配置的金属层而形成于基板上的厚度为30～100nm的非晶硅的薄膜，从而形成多晶硅薄膜的硅薄膜的处理方法，其特征为：具有经由使长波长侧的光截止的截波滤波器而将来自闪光灯的光照射于非晶硅薄膜的工序，被截波滤波器截止的光的波长区域的短波长侧一端的波长为650nm以下，照射于非晶硅薄膜的光的照射能量为2.00～3.10J/cm2。

主权项

一种硅薄膜的处理方法，将从点亮时的脉宽为50～200μsec的闪光灯所放射的光照射于非晶硅薄膜，由此形成多晶硅薄膜，上述非晶硅薄膜隔着局部地配置的金属层而形成于基板上，厚度为30～100nm，其特征为：具有经由截波滤波器而将来自该闪光灯的光照射于该非晶硅薄膜的工序，上述截波滤波器配置于闪光灯与非晶硅薄膜之间并使长波长侧的光截止，被上述截波滤波器截止的光的波长区域的短波长侧一端的波长为650nm以下，照射于上述非晶硅薄膜的光的照射能量为2.00～3.10J/cm2。