| 发明名称 | 三维半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体器件可包括：模结构，具有间隙区；以及互连结构，包括设置在间隙区中的多个互连图案。该模结构可包括限定互连图案的上表面和下表面的层间模以及限定低于层间模的互连图案的侧壁的侧壁模。 | ||
| 申请公布号 | CN102104034A | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN201010596401.X | 申请日期 | 2010.12.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 沈载株;金汉洙;赵源锡;张在薰;曹雨辰 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I;G11C7/12(2006.01)I;G11C7/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种三维半导体器件，包含：模结构，具有间隙区；以及互连结构，包括形成在所述间隙区中的多个互连图案，其中，所述模结构包括限定所述互连图案的上表面和下表面的层间模以及在所述层间模下面的限定所述互连图案的侧壁的侧壁模。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||