磁隧道结及包括它的存储器件

摘要

本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。

主权项

一种磁隧道结器件，具有一磁可编程自由磁性层，所述磁可编程自由磁性层包括：至少三个材料层的叠层，其中，所述至少三个材料层包括至少两种不同材料的交替叠置层，所述叠层的每一层的厚度小于10埃，该两种不同材料二者均为铁磁的，下部铁磁层是NiFe层，且上部铁磁层是CoFe层；以及与最下部NiFe层接触的一初始CoFe层。