一种稳定调节三氯氢硅纯度的控制方法

摘要

本发明提供一种稳定调节三氯氢硅纯度的控制方法，根据西门子的气相沉积法制造多晶硅，将粗氯硅烷连续送入精馏塔，塔的操作特性与回流量不变，其特征是分别在精馏段和提馏段设置四个温度测量点，通过计算得到两个温差值，再将这两个温差值相减得到双温差值；通过稳定双温差值以及调节塔顶馏出量D与进料量F的比值，起到控制塔底采出液中杂质元素含量的目的，得到高纯的三氯氢硅，并且可以通过调节不同的温差点得到不同纯度的产品。这种控制方法既保证了三氯氢硅的质量要求，又减少了三氯氢硅不必要的损失。

主权项

一种稳定调节三氯氢硅纯度的控制方法，根据西门子的气相沉积法制造多晶硅，将粗氯硅烷连续送入精馏塔，塔的操作特性与回流量不变，其特征是分别在精馏段和提馏段设置四个温度测量点，通过计算得到两个温差值，再将这两个温差值相减得到双温差值；通过稳定双温差值以及调节塔顶馏出量D与进料量F的比值，起到控制塔底采出液中杂质元素含量的目的，得到高纯的三氯氢硅，并且可以通过调节不同的温差点得到不同纯度的产品。