| 发明名称 | MEMS器件 | ||
| 摘要 | 一种制造MEMS器件的方法，包括：形成MEMS器件元件(14)。在所述器件元件上设置牺牲层(20)并且在所述牺牲层上设置封装覆盖层(22)。使用所述覆盖层中的至少一个开口(22)去除所述牺牲层，以及通过退火工艺密封所述至少一个开口(24)。 | ||
| 申请公布号 | CN102105389A | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200980129383.X | 申请日期 | 2009.05.19 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 格雷亚·J·A·M·费尔海登;菲利普·默尼耶-贝拉德;约翰内斯·J·T·M·唐克斯 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种制造MEMS器件的方法，包括：形成MEMS器件元件(14)；在所述器件元件(14)上形成牺牲层(20；34)；在所述牺牲层上形成封装覆盖层(22；36)；在所述封装覆盖层(22；36)中限定至少一个开口(24；38)；通过所述至少一个开口(24；38)去除所述牺牲层(20；34)，从而在所述器件元件上形成封装空间；以及通过氢退火工艺密封所述至少一个开口(24；38)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||