| 发明名称 | 存储元件和存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供存储元件和存储装置。以矩阵状配置于存储装置(21)的存储元件(3)包括：通过施加极性为正或负的电脉冲，其电阻值变化，并且维持该变化后的电阻值的电阻变化元件(1)；和抑制在对上述电阻变化元件施加上述电脉冲时流动的电流的电流抑制元件(2)，上述电流抑制元件具有：第一电极、第二电极、和配置在上述第一电极与上述第二电极之间的电流抑制层，上述电流抑制层由SiNx(x为正实数)构成。 | ||
| 申请公布号 | CN101636841B | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200780052299.3 | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 有田浩二;高木刚;三河巧;川岛良男;魏志强 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I;H01L49/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种存储元件，包括：通过施加极性为正或负的电脉冲，其电阻值变化，并且维持该变化后的电阻值的电阻变化元件；和抑制在对所述电阻变化元件施加所述电脉冲时流动的电流的电流抑制元件，该存储元件的特征在于：所述电流抑制元件具有：第一电极、第二电极、和配置在所述第一电极与所述第二电极之间的电流抑制层，所述电流抑制层由SiNx构成，x为正实数，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个含有氮化钽。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||