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发明名称 Fabricating Of A Polycrystalline silicon layer and Fabricating Of A Thin film transistor comprising the same
摘要
申请公布号 KR101043788(B1) 申请公布日期 2011.06.22
申请号 KR20090034790 申请日期 2009.04.21
申请人 发明人
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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