| 发明名称 | 一种提高离子阱碰撞诱导解离性能的方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种提高离子阱碰撞诱导解离(CID)性能的方法，所述离子阱包括端电极；特点是：对离子进行CID的过程中，施加在所述端电极上的电压信号包含多个频率成分，其中具有处于[(f-1)kHz，(f+1)kHz]内的频率成分，f(kHz)是要进行CID的离子的共振频率，所述电压信号是一个包含某个频率范围内的所有频率成分的宽频信号，也可以是一个频率随时间变化的扫频信号。本发明还提供了一种提高离子阱碰撞诱导解离性能的装置。本发明可消除空间电荷效应或射频束缚电压波动等带来的影响，提高了CID效率和重复性。 | ||
| 申请公布号 | CN102103974A | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN201010622405.0 | 申请日期 | 2010.12.31 |
| 申请人 | 聚光科技(杭州)股份有限公司 | 发明人 | 刘立鹏;吴文明;朱文明;郑毅;邱明;甘剑勤;吴先伟 |
| 分类号 | H01J49/42(2006.01)I;H01J49/10(2006.01)I | 主分类号 | H01J49/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种提高离子阱碰撞诱导解离性能的方法，所述离子阱包括端电极；其特征在于：对离子进行CID的过程中，施加在所述端电极上的电压信号包含两个或两个以上的频率成分，其中具有处于[(f‑1)kHz，(f+1)kHz]内的频率成分，f(kHz)是要进行CID的离子的共振频率。 | ||
| 地址 | 310052 浙江省杭州市滨江区滨安路760号 | ||