| 发明名称 | 提高纵向沟槽MOS器件的耐压的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高纵向沟槽MOS器件的耐压的方法，其为在沟槽MOS器件的接触孔形成之后，接触金属填入之前，进行接触孔位置处的离子注入，在接触孔下方形成掺杂类型与漂移区相反的接触孔注入区，注入深度比体区深但在漂移区之内。该方法能大大改善器件的截止时耐击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102103999A | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200910201960.3 | 申请日期 | 2009.12.18 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 金勤海;刘春玲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 张骥 |
| 主权项 | 一种提高纵向沟槽MOS器件的耐压的方法，其特征在于：所述沟槽MOS器件的接触孔形成之后，接触金属填入之前，进行接触孔位置处的离子注入，在接触孔下方形成掺杂类型与漂移区相反的接触孔注入区，注入深度比体区深但在漂移区之内。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||