沟槽MOS器件中栅极的制备方法

摘要

本发明公开了一种沟槽MOS器件中栅极的制备方法，其为在栅氧生长之后，包括如下步骤：1)先在沟槽内壁淀积部分多晶硅；2)进行氮离子注入工艺，使氮均匀分布在步骤一中的多晶硅内；3)接着淀积多晶硅以填充沟槽；4)用硼离子注入进行多晶硅掺杂形成P型栅极多晶硅；5)对多晶硅进行刻蚀，完成栅极的制备。本发明的制备方法，通过在多晶硅淀积过程中引入氮离子，利用氮离子抑制P型多晶硅中硼的穿通来提高器件的稳定性和可靠性。

主权项

一种沟槽MOS器件中栅极的制备方法，其特征在于，在栅氧生长之后，包括如下步骤：1)先在沟槽内壁淀积部分多晶硅；2)进行氮离子注入工艺，使氮均匀分布在所述步骤一中的多晶硅内；3)接着淀积多晶硅以填充所述沟槽；4)用硼离子注入进行多晶硅掺杂形成P型栅极多晶硅；5)对所述多晶硅进行刻蚀，完成栅极的制备。