基板的处理方法、程序和计算机存储介质

摘要

本发明提供基板的处理方法、程序和计算机存储介质，在将双重图案化中第二次的抗蚀剂液的供给量控制为少量，并在基板上形成规定的抗蚀剂图案。在形成有被处理膜(F)的晶片(W)上涂敷抗蚀剂液形成第一抗蚀剂膜(R1)(图7(b))。之后，有选择地将第一抗蚀剂膜(R1)曝光、显影从而形成第一抗蚀剂图案(P1)(图7(c))。之后，在第一抗蚀剂图案(P1)的表面(P1a)涂敷醚类表面改性剂，将该表面(P1a)改性(图7(d))。之后，在形成有第一抗蚀剂(P1)的晶片(W)上涂敷抗蚀剂液形成第二抗蚀剂膜(R2)(图7(e))。之后，有选择地将第二抗蚀剂膜(R2)曝光、显影从而在与第一抗蚀剂图案(P1)相同的层形成第二抗蚀剂图案(P2)(图7(f))。

主权项

一种基板的处理方法，用于在基板上形成抗蚀剂图案，该基板的处理方法的特征在于，包括：第一图案化工序，在基板上涂敷抗蚀剂液形成第一抗蚀剂膜后，有选择地将该第一抗蚀剂膜曝光、显影从而形成第一抗蚀剂图案；表面改性工序，在所述第一图案化工序之后，在所述第一抗蚀剂图案的表面涂敷醚类表面改性剂，对该表面进行改性；和第二图案化工序，在所述表面改性工序后，在形成有所述第一抗蚀剂图案的基板上涂敷抗蚀剂液形成第二抗蚀剂膜，之后有选择地将该第二抗蚀剂膜曝光、显影从而在与所述第一抗蚀剂图案相同的层形成第二抗蚀剂图案。