发明名称 薄膜晶体管面板及其制造方法
摘要 一种薄膜晶体管阵列面板包括基板、形成在基板上的栅线和栅驱动电路部分的栅层信号传输线、形成在栅线和栅层信号传输线上且具有暴露一部分栅层信号传输线的第一接触孔的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的半导体层、形成在栅绝缘层和半导体层上的包括源电极的数据线及漏电极、形成在栅绝缘层上并通过第一接触孔连接到栅层信号传输线的栅驱动电路部分的数据层信号传输线、连接到漏电极的像素电极以及形成在数据线、漏电极和驱动电路部分的数据层信号传输线上的钝化层。数据线、漏电极和数据层信号传输线具有包括下层、中间层和上层的三层结构,且下层由与像素电极相同的层形成。
申请公布号 CN101188243B 申请公布日期 2011.06.22
申请号 CN200710305142.9 申请日期 2007.10.08
申请人 三星电子株式会社 发明人 金奉柱;柳春基
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陶凤波
主权项 一种薄膜晶体管阵列面板,包括:基板;栅线和栅驱动电路部分的栅层信号传输线,形成在基板上;栅绝缘层,形成在栅线和栅层信号传输线上且具有暴露一部分栅层信号传输线的第一接触孔;半导体层,形成在栅绝缘层上;形成在栅绝缘层和半导体层上的包括源电极的数据线和漏电极;栅驱动电路部分的数据层信号传输线,形成在栅绝缘层上和通过第一接触孔连接到栅层信号传输线;像素电极,连接到漏电极;和钝化层,形成在数据线、漏电极和驱动电路部分的数据层信号传输线上,其中数据线、漏电极和数据层信号传输线具有包括下层、中间层和上层的三层结构,且该下层由与像素电极相同的层形成。
地址 韩国京畿道