| 发明名称 | 施密特触发电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种施密特触发电路，包括：A个PMOS晶体管，所述A个PMOS晶体管的漏极与源极串接于电源电压与输出端之间，所述A个PMOS晶体管栅极连接至输入端；B个NMOS晶体管，所述B个NMOS晶体管的漏极与源极串接于所述输出端与接地端之间，所述B个NMOS晶体管的栅极连接至所述输入端；C个PMOS反馈晶体管，每一所述PMOS反馈晶体管连接于PMOS晶体管漏极与PMOS晶体管源极连接的节点与接地端之间，每一所述PMOS反馈晶体管栅极连接至所述输出端；以及，D个NMOS反馈晶体管；其中，A大于2且A大于C或者B大于2且B大于D。本发明可使用于电源检测模块中的电平检测电路。 | ||
| 申请公布号 | CN101227183B | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200810009286.4 | 申请日期 | 2008.02.03 |
| 申请人 | 智原科技股份有限公司 | 发明人 | 吴政晃;陈省华 |
| 分类号 | H03K3/3565(2006.01)I;G01R19/00(2006.01)I;G01R31/40(2006.01)I | 主分类号 | H03K3/3565(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 一种施密特触发电路，包括：A个PMOS晶体管，所述A个PMOS晶体管的漏极与源极串接于电源电压与输出端之间，所述A个PMOS晶体管的栅极连接至输入端；B个NMOS晶体管，所述B个NMOS晶体管的漏极与源极串接于所述输出端与接地端之间，所述B个NMOS晶体管的栅极连接至所述输入端；C个PMOS反馈晶体管，每一所述PMOS反馈晶体管连接于PMOS晶体管漏极与PMOS晶体管源极连接的节点与接地端之间，每一所述PMOS反馈晶体管的栅极连接至所述输出端；以及D个NMOS反馈晶体管，每一所述NMOS反馈晶体管连接于NMOS晶体管漏极与NMOS晶体管源极连接的节点与所述电源电压之间，每一所述NMOS反馈晶体管的栅极连接至所述输出端；其中，A大于2且A大于C以及B大于2且B大于D。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||