| 发明名称 | 化学气相沉积装置的温度控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了化学气相沉积装置的温度控制方法。该方法可以准确地了解晶座的表面温度与基板的表面温度之间的差异而无需使用复杂并且昂贵的设备。该方法包括以下步骤：检测顶表面上装载有基板的晶座的旋转状态；测量所述晶座的顶表面的温度；基于检测到的旋转状态和测量出的温度来计算所述晶座的顶表面的温度分布；以及基于计算出的温度分布来控制所述晶座的顶表面的温度。 | ||
| 申请公布号 | CN102102196A | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN201010502119.0 | 申请日期 | 2010.09.30 |
| 申请人 | 丽佳达普株式会社 | 发明人 | 洪性在;李弘源;韩锡万;陈周 |
| 分类号 | C23C16/52(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 黄纶伟;吕俊刚 |
| 主权项 | 一种用于化学气相沉积装置的温度控制方法，该方法包括以下步骤：检测顶表面上装载有基板的晶座的旋转状态；测量所述晶座的顶表面的温度；基于检测到的旋转状态和测量出的温度来计算所述晶座的顶表面的温度分布；以及基于计算出的温度分布来控制所述晶座的顶表面的温度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||