| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括：蚀刻衬底以形成多个沟槽，在沟槽的底表面和内侧壁上形成第一衬垫层至第一高度，在其中形成第一衬垫层的沟槽的内侧壁之一上形成牺牲衬垫层，形成第三牺牲层至第二高度，使得在其中形成牺牲衬垫层的沟槽上填埋第三牺牲层，将通过第三牺牲层暴露出的牺牲衬垫层的部分移除以形成牺牲图案，在通过第三牺牲层暴露出的沟槽的内侧壁上形成第二衬垫层，和移除第三牺牲层以形成打开沟槽的内侧壁之一的线形侧面接触区域。 | ||
| 申请公布号 | CN102104020A | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN201010141191.5 | 申请日期 | 2010.03.25 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 高银静 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：蚀刻包括单元区域和边缘区域的衬底以形成多个沟槽；在所述沟槽的表面轮廓上形成第一衬垫氮化物层；移除在所述单元区域中所述沟槽的内侧壁之一上形成的第一衬垫氮化物层的部分，以形成打开所述单元区域中所述沟槽的内侧壁之一的线形的侧面接触区域；和在所述沟槽的表面轮廓上形成侧面接触导电层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||